
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD5N52K3, 525В, 2,77А, DPAK (набір 20 шт.)
3 210 ₴
- В наявності
- Код: TM114273
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD5N52K3 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах із напругою до 525 В. Комплект містить 20 транзисторів.
- Напруга дрена-джерела: 525 В
- Струм дрена: 2,77 А
- Потужність розсіювання: 70 Вт
- Корпус: DPAK (SMD монтаж)
- Захист ESD та технологія SuperMesh™
- Комплект: 20 штук
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 525 В та струм дрена 2,77 А.
Ефективне відведення тепла
Потужність розсіювання становить 70 Вт. Корпус DPAK забезпечує монтаж на поверхню (SMD).
Захист від статичної електрики
Версія ESD. Версія ESD та технологія SuperMesh™.
Полярність та тип каналуТранзистор є уніполярним (unipolarny) з каналом збагачення (wzbogacany). Це визначає принцип його роботи в схемах керування.## Напруга на затворіДопустима напруга між затвором та джерелом становить ±30 В. ## Опір у відкритому станіОпір у стані провідності дорівнює 1,5 Ом.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 70 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 525 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.77 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1500 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 210 ₴
