Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD5N52K3, 525В, 2,77А, DPAK (набір 20 шт.)

3 210 ₴

  • В наявності
  • Код: TM114273
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD5N52K3, 525В, 2,77А, DPAK (набір 20 шт.)
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD5N52K3, 525В, 2,77А, DPAK (набір 20 шт.)В наявності
3 210 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD5N52K3 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах із напругою до 525 В. Комплект містить 20 транзисторів.

  • Напруга дрена-джерела: 525 В
  • Струм дрена: 2,77 А
  • Потужність розсіювання: 70 Вт
  • Корпус: DPAK (SMD монтаж)
  • Захист ESD та технологія SuperMesh™
  • Комплект: 20 штук

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 525 В та струм дрена 2,77 А.

Ефективне відведення тепла

Потужність розсіювання становить 70 Вт. Корпус DPAK забезпечує монтаж на поверхню (SMD).

Захист від статичної електрики

Версія ESD. Версія ESD та технологія SuperMesh™.

Полярність та тип каналуТранзистор є уніполярним (unipolarny) з каналом збагачення (wzbogacany). Це визначає принцип його роботи в схемах керування.## Напруга на затворіДопустима напруга між затвором та джерелом становить ±30 В. ## Опір у відкритому станіОпір у стані провідності дорівнює 1,5 Ом.

Характеристики
Основні
ВиробникSTMicroelectronics
Максимальна потужність розсіювання70 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік30 В
Максимально допустима напруга стік-витік525 В
Максимально допустимий струм стоку2.77 А
Опір у відкритому стані (Rds)1500 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
ВерсіяESD
Кількість у комплекті20 шт.
КорпусDPAK
ТехнологіяSuperMesh™
Інформація для замовлення
  • Ціна: 3 210 ₴