Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD2NK100Z, 1000В, 1,16А, DPAK — набір 10 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD2NK100Z — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі DPAK для монтажу на поверхню плати (SMD). Модель розрахована на високу напругу 1000 В та струм стоку 1,16 А.

• Напруга стік-джерело: 1000 В (1 кВ)
• Струм стоку: 1,16 А
• Розсіювана потужність: 70 Вт
• Корпус DPAK для SMD-монтажу
• Технологія SuperMesh™ та захист ESD
• Набір із 10 транзисторів

Висока напруга та потужність

Транзистор витримує напругу стік-джерело до 1000 В (1 кВ) та має розсіювану потужність 70 Вт. Ці параметри визначають електричні характеристики компонента. Опір у відкритому стані становить 8,5 Ом, що визначає теплові втрати при роботі.

Технологія SuperMesh™ та захист ESD

Компонент виготовлений за технологією SuperMesh™. Версія ESD включає вбудований захист від електростатичних розрядів. Напруга затвор-джерело обмежена ±30 В.

Комплектація та монтаж

Товар поставляється набором із 10 штук. Корпус DPAK призначений для SMD-монтажу. Канал транзистора — збагачуваний (enhancement mode), що означає відсутність струму при нульовій напрузі на затворі.