Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD2N105K5, 1050 В, 0,95 А, DPAK — набір 10 шт.
2 070 ₴
- В наявності
- Код: TM114271
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD2N105K5, 1050 В, 0,95 А, DPAK — набір 10 шт.В наявності
2 070 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD2N105K5 — це уніполярний компонент із напругою дрена-джерела 1050 В та струмом дрена 0,95 А.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачений
- Напруга дрена-джерела: 1050 В
- Струм дрена: 0,95 А
- Потужність розсіювання: 60 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Комплектація: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 1050 В. Потужність розсіювання становить 60 Вт, а напруга затвор-джерело обмежена ±30 В. Опір у стані провідності дорівнює 8 Ом.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений за технологією SuperMesh™, що є ключовою характеристикою серії. Компонент має версію ESD. Монтаж здійснюється методом SMD у корпусі DPAK.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 60 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.95 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 8000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 070 ₴