Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB13N60M2, 600В, 7А, D2PAK, 10 шт.
2 460 ₴
- В наявності
- Код: TM114267
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB13N60M2, 600В, 7А, D2PAK, 10 шт.В наявності
2 460 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 польових транзисторів STMicroelectronics STB13N60M2 типу N-MOSFET у корпусі D2PAK. Розраховані на напругу до 600 В та струм до 7 А.
- Тип: N-MOSFET, канал збагачений
- Максимальна напруга стік-витік: 600 В
- Максимальний струм стоку: 7 А
- Потужність розсіювання: 110 Вт
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Технологія: SuperMesh™, версія ESD
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні характеристики
Транзистори мають максимальну розсіювану потужність 110 Вт та витримують напругу стік-витік 600 В. Максимально допустимий струм стоку становить 7 А.
Корпус та технологія
Компоненти виконані в корпусі D2PAK із монтажем для поверхневого встановлення (SMD). Канал транзистора — збагачений, полярність — уніполярна. Версія ESD. Вироби виготовлені за технологією SuperMesh™.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 110 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 380 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 460 ₴