Транзистор STMicroelectronics STB11N65M5, N-MOSFET, 650 В, 5.6 А, D2PAK (набір 10 шт.)

Транзистор STMicroelectronics STB11N65M5 — це польовий N-MOSFET із технологією MDmesh™ M5. Максимальна напруга стік-витік становить 650 В, максимальний струм стоку — 5.6 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 650 В
• Максимальний струм стоку: 5.6 А
• Опір у відкритому стані: 480 mOm
• Корпус: D2PAK, монтаж поверхневий
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 650 В. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 5.6 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 480 mOm. Максимальна потужність розсіювання — 85 Вт.

Конструкція та монтаж

Транзистор виконаний у корпусі D2PAK із поверхневим типом монтажу. Тип транзистора — польовий. Максимально допустима напруга затвор-витік — 25 В. Технологія виготовлення — MDmesh™ M5.

Додаткові характеристики та комплектація

У комплекті поставляється 10 шт. транзисторів. Імпульсний струм стоку (Idm) становить 36 А. Заряд затвора — 17 нКл. Канал типу «wzbogacany» (збагачений), поляризація — уніполярна.