Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB11N65M5, 650В, 5,6А, D2PAK — набір 10 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB11N65M5 — це напівпровідниковий прилад із технологією MDmesh™ M5, призначений для роботи в електронних схемах. Модель забезпечує високу ефективність перемикання та надійність у схемах із напругою до 650 В.

• Напруга дрена-джерела 650 В
• Постійний струм дрена 5,6 А
• Імпульсний струм дрена 36 А
• Опір у відкритому стані 0,48 Ом
• Розсіювана потужність 85 Вт
• Корпус D2PAK, монтаж SMD
• Технологія MDmesh™ M5
• Набір із 10 штук

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 650 В та постійний струм дрена 5,6 А. Це дозволяє використовувати компонент у високовольтних застосуваннях, де потрібна стабільна робота під значним навантаженням. Імпульсний струм дрена може досягати 36 А, що забезпечує запас міцності для короткочасних пікових навантажень.

Ефективність та тепловий режим

Технологія MDmesh™ M5 знижує опір у відкритому стані до 0,48 Ом, що мінімізує втрати потужності та нагрівання компонента. Максимальна розсіювана потужність становить 85 Вт, що вимагає належного відведення тепла від корпусу. Низький заряд затвора 17 нКл спрощує керування та зменшує втрати на керування.

Зручний монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі D2PAK із технологією монтажу SMD, що забезпечує компактність та автоматизацію виробництва. Полярність транзистора — уніполярна, канал збагачуваний, що є стандартним рішенням для багатьох силових схем. Напруга затвор-джерело ±25 В визначає діапазон безпечного керування затвором.

Комплектація

Товар постачається набором із 10 штук, що зручно для прототипування або дрібносерійного виробництва.