Транзистор P-MOSFET Toshiba SSM3J334R, SOT23F, -30В, -4А, комплект 80 шт (SSM3J334R,LF

Транзистор P-MOSFET Toshiba SSM3J334R — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі SOT23F для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 80 одиниць.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
• Максимальна напруга стік-витік: -30 В
• Максимальний струм стіка: -4 А
• Потужність розсіювання: 1 Вт
• Корпус: SOT23F, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 80 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік -30 В та максимальний струм стіка -4 А. Потужність розсіювання становить 1 Вт, а опір у відкритому стані — 136 мОм. Заряд затвора дорівнює 5,9 нКл, що впливає на швидкість перемикання та енергоспоживання схеми.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у компактному корпусі SOT23F, який призначений для поверхневого монтажу (SMD). Версія ESD вказує на наявність захисту від електростатичного розряду.

Канал та полярність

Транзистор є уніполярним із каналом збагачення. Полярність P-MOSFET визначає полярність прикладеної напруги та струму в схемі.