Транзистор N-MOSFET Infineon SPW20N60C3, 600В, 13,1А, PG-TO247-3 (10 шт.)
2 570 ₴
- В наявності
- Код: TM114236
Транзистор N-MOSFET Infineon SPW20N60C3, 600В, 13,1А, PG-TO247-3 (10 шт.)В наявності
2 570 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon SPW20N60C3 — це уніполярний компонент із технологією CoolMOS™. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі PG-TO247-3.
- Напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 13,1 А
- Потужність розсіювання: 208 Вт
- Опір у стані провідності: 0,19 Ом
- Корпус: PG-TO247-3, монтаж THT
- Комплектація: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор має напругу дрена-джерела 600 В та струм дрена 13,1 А. Напруга затвор-джерело становить ±20 В.
Потужність та монтаж
Потужність розсіювання становить 208 Вт. Компонент виконаний у корпусі PG-TO247-3 з монтажем THT.
Опір та канал
Транзистор виготовлений за технологією CoolMOS™ з каналом типу wzbogacany (збагачений). Опір у стані провідності становить 0,19 Ом.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 208 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 13.1 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO247-3 |
| Технологія | CoolMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 570 ₴