Транзистор N-MOSFET Infineon SPP11N60C3XKSA1, 650В, 7А, CoolMOS™, комплект 10 шт.
2 870 ₴
- В наявності
- Код: TM114235
Транзистор N-MOSFET Infineon SPP11N60C3XKSA1, 650В, 7А, CoolMOS™, комплект 10 шт.В наявності
2 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon SPP11N60C3XKSA1 — це уніполярний компонент із технологією CoolMOS™. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі PG-TO220, що забезпечує зручність для серійного монтажу та ремонту обладнання.
- Напруга дрена-джерела 650 В
- Постійний струм дрена 7 А
- Імпульсний струм до 33 А
- Розсіювана потужність 125 Вт
- Технологія CoolMOS™
- Корпус PG-TO220, монтаж THT
- Комплект із 10 транзисторів
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 650 В та постійний струм дрена 7 А.
Імпульсна потужність
Максимальний імпульсний струм дрена становить 33 А, а розсіювана потужність — 125 Вт.
Зручний монтаж та технологія
Компонент виготовлений за технологією CoolMOS™. Монтаж виконується методом THT у корпусі PG-TO220.
Електричні характеристики
У комплекті поставляється 10 транзисторів. Напруга затвор-джерело становить ±20 В, а опір у стані провідності — 0,38 Ом.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 380 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO220 |
| Технологія | CoolMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 870 ₴