Транзистор P-MOSFET Infineon SPB80P06PGATMA1, -60В, -80А, корпус PG-TO263-3 (5 шт.)
2 010 ₴
- В наявності
- Код: TM114233
Транзистор P-MOSFET Infineon SPB80P06PGATMA1, -60В, -80А, корпус PG-TO263-3 (5 шт.)В наявності
2 010 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-MOSFET транзистор Infineon SPB80P06PGATMA1 у корпусі PG-TO263-3. Це уніполярний компонент із каналом збагачення, розрахований на струм до -80 А та напругу -60 В. Комплект складається з 5 одиниць.
- Струм стіка: -80 А
- Напруга стік-витік: -60 В
- Потужність розсіювання: 340 Вт
- Опір у відкритому стані: 23 мОм
- Корпус: PG-TO263-3 (SMD)
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Технічні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік -60 В та витримує струм стіка -80 А. Потужність розсіювання становить 340 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 23 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі PG-TO263-3 із технологією SIPMOS™. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж).
Комплектація
У пакуванні знаходиться 5 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 340 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 23 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO263-3 |
| Технологія | SIPMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 010 ₴