Транзистор IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SKM400GB12E4, 400A, 1200V, корпус SEMITRANS3 (SKM400GB12E4 22892087)

IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SKM400GB12E4 — це напівпровідниковий компонент у корпусі SEMITRANS3, призначений для потужних електронних систем. Він поєднує високу струмову навантаженість 400 А та робочу напругу до 1200 В, забезпечуючи стабільну роботу в складних умовах експлуатації.

• Струм колектора 400 А для потужних навантажень
• Максимальна зворотна напруга 1200 В
• Імпульсний струм до 1200 А
• Корпус SEMITRANS3
• Застосування в інверторах, UPS та фотовольтаїці
• Монтаж через конектори FASTON або болти

Висока потужність та надійність

Модуль розрахований на постійний струм колектора 400 А, що дозволяє використовувати його в енергоємних пристроях. Максимальна зворотна напруга становить 1200 В, що гарантує захист від перенапруг у мережах із високими вимогами до ізоляції. Імпульсний струм колектора може досягати 1200 А, що важливо для пускових режимів та динамічних навантажень.

Універсальне застосування

Компонент ідеально підходить для інверторів, систем безперебійного живлення (UPS) та обладнання для фотовольтаїки. Топологія напівмосту з структурою «транзистор/транзистор» спрощує побудову силових каскадів у перетворювачах частоти та енергетичних установках.

Висока струмова навантаженість

Модуль розрахований на постійний струм колектора 400 А, що дозволяє використовувати його в енергоємних пристроях. Максимальна зворотна напруга становить 1200 В, що гарантує захист від перенапруг у мережах із високими вимогами до ізоляції. Імпульсний струм колектора може досягати 1200 А, що важливо для пускових режимів та динамічних навантажень. Електричне з'єднання здійснюється через конектори FASTON або болтові з'єднання, що спрощує монтаж. Напруга керування затвор-емітер становить ±20 В, що гарантує стабільне відкривання та закривання транзисторів.