Транзистор IGBT SEMIKRON DANFOSS SKM400GB125D, 1200 В, 300 А, корпус SEMITRANS3 (SKM400GB125D, 22890626)

IGBT-модуль SEMIKRON DANFOSS SKM400GB125D — це напівпровідниковий компонент у корпусі SEMITRANS3, призначений для роботи в електронних системах керування потужністю. Пристрій забезпечує надійну комутацію струму та напруги, що робить його ключовим елементом для промислового обладнання.

• Топологія напівмосту IGBT (транзистор/транзистор)
• Максимальна напруга 1200 В
• Номінальний струм колектора 300 А
• Імпульсний струм до 600 А
• Корпус SEMITRANS3
• Підключення через конектори FASTON або болти

Топологія та структура

Модуль має структуру «транзистор/транзистор» та топологію напівмосту IGBT. Максимальна напруга колектор-емітер становить 1200 В, а номінальний струм колектора — 300 А. Такі параметри визначають робочий діапазон компонента.

Імпульсний струм

Імпульсний струм колектора досягає 600 А. Ця характеристика дозволяє модулю витримувати короткочасні пікові навантаження.

Керування

Напруга керування на затворі (gate-emitter) становить ±20 В. Це значення відповідає типовим рівням сигналів для драйверів IGBT.

Підключення та монтаж

Електричне підключення здійснюється за допомогою конекторів FASTON або болтових з'єднань. Механічна установка виконується методом прикручування.

Застосування та підсумок