Транзистор IGBT-модуль SEMIKRON DANFOSS, напівміст, 1200 В, 600 А, SEMITRANS3 (SKM400GB125D, 22890626)

Транзистор IGBT-модуль SEMIKRON DANFOSS SKM400GB125D — напівпровідниковий модуль типу IGBT із топологією напівмоста в корпусі SEMITRANS3. Максимальна зворотна напруга модуля — 1,2 кВ, максимально допустимий струм колектора — 600 А.

• Максимальна зворотна напруга: 1,2 кВ
• Струм колектора: 600 А
• Напруга затвор – емітер: ±20 В
• Корпус: SEMITRANS3, версія D56
• Топологія: напівміст IGBT
• Монтаж: прикручуваний, конектори FASTON

Електричні параметри

Максимальна зворотна напруга становить 1,2 кВ. Максимально допустимий струм колектора — 600 А. Напруга затвор – емітер — ±20 В.

Структура і топологія

Структура напівпровідника — транзистор/транзистор, тобто модуль містить два транзистори. Топологія модуля — напівміст IGBT.

Корпус і монтаж

Модуль виконаний у корпусі SEMITRANS3, версія — D56. Механічний монтаж — прикручуваний. Електричний монтаж — конектори FASTON і прикручування.

Застосування

За даними виробника, модуль застосовується в джерелах безперервного живлення (UPS) та інверторах. Також у застосуваннях указано фотовольтаїку.