Транзистор IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SKM150GB12T4, 150А, 1200В, корпус SEMITRANS2 (SKM150GB12T4 22892040)

IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SKM150GB12T4 — це напівпровідниковий пристрій у корпусі SEMITRANS2, призначений для потужних електронних систем. Він поєднує два транзистори у конфігурації напівмосту, забезпечуючи комутацію струму до 150 А при напрузі 1200 В.

• Струм колектора 150 А для стабільної роботи під навантаженням
• Імпульсний струм до 450 А для пікових режимів
• Максимальна зворотна напруга 1200 В
• Корпус SEMITRANS2
• Топологія напівмосту (транзистор/транзистор)
• Застосування: UPS, інвертори, фотовольтаїка

Потужність та надійність комутації

Модуль має номінальний струм колектора 150 А, що дозволяє використовувати його у високопотужних інверторах та джерелах живлення. Імпульсний струм може досягати 450 А, що забезпечує стабільну роботу під час пікових навантажень. Максимальна зворотна напруга становить 1200 В, що гарантує безпеку роботи у мережах із високим потенціалом.

Зручний монтаж та підключення

Механічне кріплення модуля здійснюється за допомогою болтів (прикручування). Електричне підключення реалізоване через конектори FASTON та болтові з'єднання.

Універсальність застосування

Структура «транзистор/транзистор» у топології напівмосту робить цей модуль придатним для систем безперебійного живлення (UPS), промислових інверторів та сонячних електростанцій. Напруга керування затвором (Gate-Emitter) становить ±20 В.

Цей модуль підходить для інженерів та техніків, які проектують або обслуговують потужне електронне обладнання.