Транзистор IGBT SEMIKRON DANFOSS SKIIP 12NAB12T4V1, 15А, 1,6 кВ, MiniSKiiP® 1

IGBT-модуль SEMIKRON DANFOSS SKIIP 12NAB12T4V1 — це напівпровідниковий пристрій у корпусі MiniSKiiP® 1, призначений для перетворення та керування електроенергією. Модуль поєднує в собі IGBT-транзистори та діоди, забезпечуючи надійну роботу в складних електронних схемах.

• Максимальна зворотна напруга 1,6 кВ
• Номінальний струм колектора 15 А
• Імпульсний струм до 45 А
• Корпус MiniSKiiP® 1
• Монтаж Press-Fit та прикручування
• Застосування в UPS, інверторах та PV

Потужність та корпус

Модуль має потужність 5500 Вт та виконаний у компактному корпусі MiniSKiiP® 1. Це поєднання дозволяє реалізовувати потужні рішення в обмеженому просторі. Компактність корпусу спрощує інтеграцію модуля в сучасні електронні пристрої.

Електричні параметри

Максимальна зворотна напруга становить 1,6 кВ, а номінальний струм колектора — 15 А. Імпульсний струм може досягати 45 А, що забезпечує надійність при пікових навантаженнях. Напруга керування затвор-емітер дорівнює ±20 В.

Монтаж та застосування

Електричне підключення здійснюється за технологією Press-Fit, що прискорює збірку. Механічне кріплення виконується прикручуванням для стабільного контакту. Модуль призначений для інверторів, систем безперебійного живлення (UPS) та фотоелектричних установок.