Модуль IGBT SEMIKRON DANFOSS SKIIP 12NAB12T4V1, 15 А, 1,6 кВ (SKIIP 12NAB12T4V1 25231440)

Модуль IGBT від бренду SEMIKRON DANFOSS, модель SKIIP 12NAB12T4V1. Це напівпровідниковий модуль у корпусі MiniSKiiP® 1 з максимальним струмом колектора 15 А та напругою 1,6 кВ.

• Максимальний струм колектора: 15 А
• Максимальна зворотна напруга: 1,6 кВ
• Потужність розсіювання: 5500 Вт
• Корпус: MiniSKiiP® 1
• Топологія: boost chopper, IGBT-міст, діодний міст
• Монтаж: прикручування та Press-Fit

Електричні параметри

Модуль розрахований на максимальну потужність розсіювання 5500 Вт. Максимально допустимий струм колектора становить 15 А, а максимальна зворотна напруга — 1,6 кВ. Напруга між затвором та емітером дорівнює ±20 В.

Конструкція та монтаж

Модуль має топологію boost chopper, трифазний діодний міст, трифазний IGBT-міст та термістор NTC. Структура напівпровідника включає діод та транзистор. Механічний монтаж виконується прикручуванням, а електричний — за технологією Press-Fit.