Транзистор N-MOSFET Vishay SIHP12N50E-GE3, 500 В, 6,6 А, корпус TO220AB — набір 10 шт.

Транзистор N-MOSFET Vishay SIHP12N50E-GE3 — це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для роботи під напругою до 500 В. Прилад розрахований на постійний струм 6,6 А та має розсіювану потужність 114 Вт.

• Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 500 В
• Постійний струм стіка: 6,6 А
• Імпульсний струм стіка: 121 А
• Розсіювана потужність: 114 Вт
• Опір у відкритому стані: 0,38 Ом
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Упаковка: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою стік-витік до 500 В та витримує імпульсний струм до 121 А. Опір у відкритому стані становить 0,38 Ом.

Параметри керування затвором

Максимальна напруга затвор-витік обмежена ±30 В, що визначає допустимий рівень керуючого сигналу. Заряд затвора дорівнює 50 нКл.

Електричні параметри затвора та каналу

Компонент виконаний у корпусі TO220AB. Монтаж здійснюється методом виводів у отвори (THT).