Транзистор N-MOSFET Vishay SIHG73N60E-GE3, 600В, 46А, TO247AC (комплект 2 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SIHG73N60E-GE3 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 600 В та струм 46 А. Товар поставляється комплектом із 2 штук у корпусі TO247AC для монтажу в отвори (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
• Напруга стік-витік: 600 В
• Струм стіка: 46 А
• Потужність розсіювання: 520 Вт
• Корпус: TO247AC, монтаж THT
• Комплектація: 2 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою стік-витік до 600 В та витримує постійний струм стіка 46 А. Потужність розсіювання становить 520 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 39 мОм, а заряд затвора — 362 нКл.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у стандартному корпусі TO247AC. Тип монтажу THT (through-hole technology) означає, що виводи вставляються в отвори друкованої плати та припаюються з іншого боку. Максимальна напруга затвор-витік обмежена значенням ±30 В. Тип каналу — збагачуваний (enhancement mode), що означає відсутність струму стіка при нульовій напрузі на затворі. Символ виробника SIHG73N60E-GE3 ідентифікує конкретну модель у лінійці Vishay.