Транзистор N-MOSFET Vishay SIHF644S-GE3, 250В, 8,5А, D2PAK (набір 20 шт.)
2 230 ₴
- В наявності
- Код: TM113905
Транзистор N-MOSFET Vishay SIHF644S-GE3, 250В, 8,5А, D2PAK (набір 20 шт.)В наявності
2 230 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 транзисторів Vishay SIHF644S-GE3 типу N-MOSFET у корпусі D2PAK (TO263). Призначені для монтажу на поверхню (SMD) у електронних пристроях із навантаженням до 250 В та струмом до 8,5 А.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Напруга стік-виток: 250 В
- Струм стіка: 8,5 А (імпульсний до 56 А)
- Розсіювана потужність: 125 Вт
- Корпус: D2PAK (TO263), монтаж SMD
- Кількість у наборі: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор має напругу стік-виток 250 В та постійний струм стіка 8,5 А. У імпульсному режимі струм може досягати 56 А, а розсіювана потужність становить 125 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 0,28 Ом.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі D2PAK (TO263) для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
У пакеті постачається 20 транзисторів Vishay SIHF644S-GE3. Транзистор є уніполярним із каналом, що збагачується. Напруга затвор-виток становить ±20 В, а заряд затвора — 68 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 250 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 8.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 280 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | D2PAK, TO263 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 230 ₴