Транзистор P-MOSFET Vishay SIA441DJ-T1-GE3, TrenchFET, -40В, -12А, 30 шт.

Транзистор P-MOSFET Vishay SIA441DJ-T1-GE3 — це уніполярний польовий транзистор із каналом збагачення, виготовлений за технологією TrenchFET®. Комплект складається з 30 одиниць у корпусі PowerPAK® SC70 для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга дрена-джерела: -40 В
• Струм дрена: -12 А (постійний), -30 А (імпульсний)
• Розсіювана потужність: 19 Вт
• Опір у стані провідності: 65 мОм
• Корпус: PowerPAK® SC70, монтаж SMD
• Комплектація: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела -40 В та постійний струм дрена -12 А. У імпульсному режимі допустимий струм дрена сягає -30 А, а максимальна розсіювана потужність становить 19 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 65 мОм, що забезпечує ефективну роботу при комутації.

Технологія TrenchFET® та монтаж SMD

Використання технології TrenchFET® дозволяє отримати низький опір каналу. Компактний корпус PowerPAK® SC70 призначений для SMD-монтажу, що економить місце на друкованій платі. Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В, а заряд затвора становить 35 нКл, що впливає на швидкість перемикання та навантаження на керуючий вузол.