Транзистор N-MOSFET SiC STMicroelectronics SCT20N120AG, 1200 В, 16 А, 2 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics SCT20N120AG — це силовий напівпровідниковий прилад на основі карбіду кремнію (SiC).## Комплектація та монтаж

• Технологія SiC для високої ефективності
• Напруга дрена-джерела 1,2 кВ
• Струм дрена 16 А (45 А в імпульсі)
• Опір у відкритому стані 0,22 Ом
• Корпус HIP247™, монтаж THT
• Комплект із 2 транзисторів

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 1,2 кВ та постійний струм дрена 16 А. У імпульсному режимі прилад витримує струм до 45 А, що дозволяє використовувати його в силових ланцюгах із високими навантаженнями.

Технологія SiC та ефективність

Використання технології SiC забезпечує низький опір у відкритому стані — 0,22 Ом. Це зменшує втрати потужності при перемиканні та нагрівання компонента. Максимальна розсіювана потужність становить 153 Вт.

Зарядні характеристики та керування

Заряд затвора дорівнює 45 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера. Допустима напруга затвор-джерело становить від -10 до 25 В. Транзистор є уніполярним із каналом збагачення.