Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S3M0040120D, SiC, 1,2kV, 46A, TO247-3 (3 шт.)
2 200 ₴
- В наявності
- Код: TM113815
Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S3M0040120D, SiC, 1,2kV, 46A, TO247-3 (3 шт.)В наявності
2 200 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET від бренду SMC DIODE SOLUTIONS, модель S3M0040120D. Це напівпровідниковий прилад на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі TO247-3,. Комплект складається з 3 одиниць.
- Тип: N-MOSFET, канал збагачуваний
- Технологія: SiC (карбід кремнію)
- Максимальна напруга дрена-джерела: 1,2kV
- Струм дрена: 46A (постійний), 223A (імпульсний)
- Потужність розсіювання: 130W
- Опір у стані провідності: 50mΩ
- Корпус: TO247-3, монтаж THT
- Комплектація: 3 шт.
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 1,2kV та постійний струм дрена 46A. У імпульсному режимі допустимий струм сягає 223A.
Технологія SiC
Використання технології SiC (карбід кремнію). Дисипація потужності становить 130W. Низький опір у стані провідності 50mΩ.
Зручний монтаж
Компонент має корпус TO247-3 та призначений для монтажу на поверхні (THT). Заряд затвора становить 143nC,.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 130 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 18 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 46 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 50 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Виробник | SMC DIODE SOLUTIONS |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 200 ₴