Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0160120T SiC 1200В 12А (набір 10 шт.)
3 680 ₴
- В наявності
- Код: TM113793
Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0160120T SiC 1200В 12А (набір 10 шт.)В наявності
3 680 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET від бренду SMC DIODE SOLUTIONS, модель S2M0160120T, виготовлений за технологією SiC. Це уніполярний компонент із напругою дрена-джерела 1,2 кВ та струмом дрена 12 А.
- Технологія SiC
- Напруга дрена-джерела 1,2 кВ
- Струм дрена 12 А (імпульсний 40 А)
- Розсіювана потужність 121 Вт
- Корпус TOLL, монтаж SMD
- Набір із 10 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор має напругу дрена-джерела 1,2 кВ та струм дрена 12 А.
Технологія SiC
Компонент виготовлений за технологією SiC. Опір у стані провідності становить 0,3 Ом.
Потужність та струм
Максимальна розсіювана потужність становить 121 Вт, а імпульсний струм дрена — 40 А.
Монтаж та комплектація
Компонент виконаний у корпусі TOLL із технологією монтажу SMD. У комплекті постачається 10 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 121 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 300 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TOLL |
| Виробник | SMC DIODE SOLUTIONS |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 680 ₴