Транзистор N-MOSFET ROHM RQ3E180AJTB, 30В/30А, HSMT8 (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ROHM RQ3E180AJTB — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 30 А. Модель виконана в компактному корпусі HSMT8 для поверхневого монтажу (SMD) та поставляється набором із 20 одиниць.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 30 В
• Струм стіка: 30 А (імпульсний до 72 А)
• Розсіювана потужність: 30 Вт
• Опір у стані провідності: 5,8 мОм
• Корпус: HSMT8, монтаж SMD
• Комплектація: набір із 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 30 В та постійний струм стіка 30 А. Імпульсний струм може досягати 72 А, що дозволяє використовувати компонент у схемах з високими піковими навантаженнями. Максимальна розсіювана потужність становить 30 Вт, а допустима напруга затвор-витік — ±12 В.

Низький опір та швидкість перемикання

Опір у стані провідності (RDS(on)) дорівнює 5,8 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи. Заряд затвора (Qg) становить 39 нКл, що забезпечує достатню швидкість перемикання для багатьох силових застосувань.

Монтаж та комплектація

Компонент має тип монтажу SMD та корпус HSMT8, що підходить для автоматизованого виробництва друкованих плат. Увага: товар продається виключно набором із 20 транзисторів, що зручно для серійного складання або ремонтних майстерень.