Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVA4001NT1G, SMD SC75, 20V, 238mA (70 шт.)
1 920 ₴
- В наявності
- Код: TM113459
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVA4001NT1G, SMD SC75, 20V, 238mA (70 шт.)В наявності
1 920 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVA4001NT1G — це уніполярний компонент з каналом збагачення в корпусі SC75 для поверхневого монтажу (SMD). Комплект складається з 70 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-виток: 20 В
- Стала сила струму стоку: 238 мА
- Імпульсна сила струму стоку: 0,714 А
- Потужність розсіювання: 0,3 Вт
- Опір у відкритому стані: 3 Ом
- Корпус: SC75, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 70 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу між стоком та витоком 20 В. Стала сила струму стоку становить 238 мА, а імпульсна — 0,714 А. Потужність розсіювання обмежена 0,3 Вт, а опір у відкритому стані дорівнює 3 Ом.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у мініатюрному корпусі SC75, призначеному для технології SMD. Версія: ESD.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 10 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.238 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 70 шт. |
| Корпус | SC75 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 920 ₴