Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTR5198NLT1G — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Комплект складається з 50 одиниць у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Струм стіка: 1,6 А
- Потужність розсіювання: 0,6 Вт
- Опір у відкритому стані: 155 мОм
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 50 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до 60 В та витримує струм стіка до 1,6 А. Потужність розсіювання становить 0,6 Вт, що визначає тепловий режим роботи приладу. Опір у відкритому стані дорівнює 155 мОм.
Корпус та монтаж
Прилад виготовлений у корпусі SOT23. Технологія монтажу SMD (Surface Mount Device) передбачає встановлення компонента безпосередньо на поверхню плати. Напруга затвор-витік становить ±20 В. Символ виробника: NTR5198NLT1G.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.6 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 155 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 920 ₴

