Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTF3055-100T1G, 60В, 3А, SOT223, набір 20 шт.
2 610 ₴
- В наявності
- Код: TM113447
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTF3055-100T1G, 60В, 3А, SOT223, набір 20 шт.В наявності
2 610 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 транзисторів N-MOSFET від виробника ONSEMI, модель NTF3055-100T1G. Компоненти призначені для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SOT223 та розраховані на напругу 60 В і струм 3 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: 60 В
- Струм дрена: 3 А
- Потужність розсіювання: 2,1 Вт
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Кількість у наборі: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з напругою дрена-джерела 60 В та максимальним струмом дрена 3 А. Потужність розсіювання становить 2,1 Вт, а опір у стані провідності — 0,11 Ом. Заряд затвора дорівнює 10,6 нКл.
Корпус та монтаж
Компоненти виконані у корпусі SOT223. Тип монтажу — SMD.
Комплектація
У пакуванні міститься 20 одиниць транзисторів. Напруга затвора-джерела становить ±20 В, що визначає допустимі межі керуючого сигналу. Канал транзистора є збагачуваним.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.1 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 110 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SOT223 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 610 ₴