Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTA7002NT1G, 30 В, 0,154 А, SMD SC75 (80 шт.)
1 890 ₴
- В наявності
- Код: TM113435
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTA7002NT1G, 30 В, 0,154 А, SMD SC75 (80 шт.)В наявності
1 890 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTA7002NT1G — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Комплект складається з 80 одиниць у корпусі SC75 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 30 В
- Струм дрена: 0,154 А
- Потужність розсіювання: 0,3 Вт
- Опір у стані провідності: 7 Ом
- Корпус: SC75, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 80 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 30 В та струм дрена 0,154 А. Потужність розсіювання становить 0,3 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 7 Ом.
Корпус та монтаж
Прилад виконаний у корпусі SC75. Технологія монтажу SMD (Surface Mount Device) передбачає автоматизоване встановлення компонентів на поверхню плати. Напруга затвор-джерело обмежена ±10 В. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±10 В, що визначає допустимі рівні керуючого сигналу для цього компонента.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 10 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.154 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 80 шт. |
| Корпус | SC75 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 890 ₴