Транзистор N-MOSFET ONSEMI NDT3055, 60V, 4A, SOT223, набір 20 шт.

Набір із 20 транзисторів ONSEMI NDT3055 типу N-MOSFET у корпусі SOT223. Компоненти розраховані на напругу 60 В та струм 4 А.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
• Напруга стік-виток: 60 В
• Струм стіка: 4 А (імпульсний до 25 А)
• Корпус: SOT223, монтаж SMD
• Розсіювана потужність: 3 Вт
• Набір: 20 штук

Електричні параметри

Транзистор має напругу стік-виток 60 В та постійний струм стіка 4 А. Імпульсний струм може сягати 25 А, що дозволяє використовувати компонент у схемах із короткочасними піковими навантаженнями. Опір у відкритому стані становить 0,1 Ом, що забезпечує ефективне проходження струму.

Потужність та керування

Максимальна розсіювана потужність дорівнює 3 Вт. Заряд затвора становить 9 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера. Допустима напруга затвор-виток — ±20 В.

Монтаж та корпус

Компоненти виконані у корпусі SOT223 для поверхневого монтажу (SMD). Такий формат корпусу забезпечує компактність друкованої плати та зручність автоматизованого монтажу. Набір містить 20 штук.