Транзистор P-MOSFET ONSEMI NDS332P, SuperSOT-3, -20В, -1А (набір 30 шт.)

Транзистор P-MOSFET ONSEMI NDS332P — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель постачається у корпусі SuperSOT-3 для поверхневого монтажу (SMD) та реалізується набором із 30 штук.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: -20 В
• Максимальний струм стіка: -1 А
• Потужність розсіювання: 0,5 Вт
• Корпус: SuperSOT-3, монтаж SMD
• Комплектація: набір із 30 штук

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік -20 В та максимальний струм стіка -1 А. Потужність розсіювання становить 0,5 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 0,74 Ом, а заряд затвора — 5 нКл.

Особливості керування

Пристрій є уніполярним із каналом збагачення,. Максимальна напруга затвор-витік становить ±8 В.Транзистор має властивість «logic level».

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі SuperSOT-3. Монтаж здійснюється методом поверхневого монтажу (SMD).