Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N/P-MOSFET ONSEMI NDC7001C, комплементарна пара, SuperSOT-6, 30 шт.

2 100 ₴

  • В наявності
  • Код: TM113404
Транзистор N/P-MOSFET ONSEMI NDC7001C, комплементарна пара, SuperSOT-6, 30 шт.
Транзистор N/P-MOSFET ONSEMI NDC7001C, комплементарна пара, SuperSOT-6, 30 шт.В наявності
2 100 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Комплект із 30 транзисторів ONSEMI NDC7001C у корпусі SuperSOT-6. Це комплементарна пара N/P-MOSFET з максимальним струмом витоку 0,51 А та напругою виток-дрен 60 В.

  • Комплект із 30 транзисторів
  • Комплементарна пара N/P-MOSFET
  • Корпус SuperSOT-6 для SMD монтажу
  • Максимальна потужність розсіювання 0,96 Вт
  • Напруга дрен-виток 60/-60 В
  • Струм дрену 0,51/-0,34 А

Комплементарна пара MOSFET

Транзистор NDC7001C є комплементарною парою, що поєднує в одному корпусі SuperSOT-6 два транзистори: N-канальний та P-канальний. Монтаж виконується за технологією SMD.

Електричні параметри та корпус

Максимальна потужність розсіювання становить 0,96 Вт. Напруга затвор-виток обмежена ±20 В, а напруга дрен-виток — 60 В для N-каналу та -60 В для P-каналу. Максимальний струм дрену дорівнює 0,51 А для N-каналу та -0,34 А для P-каналу. Опір у відкритому стані (Rds) становить 4 Ом для N-каналу та 10 Ом для P-каналу. Заряд затвора становить 1,5/2,2 нКл.

Комплектація

У комплекті постачається 30 транзисторів NDC7001C. Корпус SuperSOT-6.

Характеристики
Основні
ВиробникON Semiconductor
Максимальна потужність розсіювання0.96 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораБіполярний
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті30 шт.
КорпусSuperSOT-6
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 100 ₴