Транзистор ONSEMI MUN5214DW1T1G, NPN x2, SMD, 50В, 0,1А, 100 шт.

Транзистор ONSEMI MUN5214DW1T1G — це біполярний компонент типу NPN з подвійною структурою (NPN x2) у корпусі SMD. Комплект складається зі 100 одиниць, призначених для монтажу на поверхню плати.

• Тип транзистора: NPN x2 (подвійний)
• Напруга колектор-емітер: 50 В
• Струм колектора: 0,1 А
• Потужність розсіювання: 0,25 Вт
• Корпус: SMD (SC70-6, SC88, SOT363)
• Базовий резистор: 10 кОм
• Резистор емітер-база: 47 кОм
• Кількість у комплекті: 100 шт.

Електричні параметри та підсилення

Максимальна напруга колектор-емітер становить 50 В, а допустимий струм колектора — 0,1 А. Потужність розсіювання обмежена значенням 0,25 Вт. Коефіцієнт підсилення транзистора (hFE) лежить у межах 80...140.

Вбудовані резистори та монтаж

Транзистор має вбудовані резистори (тип BRT). Опір базового резистора (R1) становить 10 кОм, а резистора емітер-база (R2) — 47 кОм. Компонент призначений для поверхневого монтажу (SMD).

Тип та конструкція

Компонент є біполярним транзистором (BRT) з двома NPN-структурами в одному корпусі. Монтаж здійснюється на поверхню плати (SMD). Виробник вказує сумісні позначення корпусів: SC70-6, SC88, SOT363.