
Транзистор N-MOSFET DIOTEC MMFTN123, SOT23, 100В, 0,17А (MMFTN123-DIO) — набір 90 шт.
2 040 ₴
- В наявності
- Код: TM113313
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET DIOTEC MMFTN123 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення.## Комплектація Максимальна напруга стік-витік становить 100 В, а постійний струм стіка — 0,17 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Струм стіка: 0,17 А (постійний), 0,68 А (імпульсний)
- Корпус SOT23 для поверхневого монтажу (SMD)
- Комплект поставки: 90 штук
Електричні параметри та потужність
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 100 В та постійний струм стіка 0,17 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 0,68 А. Максимальна розсіювана потужність становить 0,36 Вт, що обмежує теплове навантаження на компонент.
Корпус SOT23 та монтаж SMD
Компонент виготовлений у стандартному корпусі SOT23,. Технологія монтажу SMD (Surface Mount Device). Напруга затвор-витік обмежена величиною ±20 В,. Опір у відкритому стані становить 10 Ом,.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diotec Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.36 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.17 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 10000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 90 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 040 ₴
