Транзистор ONSEMI MMBFJ110 — це польовий транзистор типу N-JFET у корпусі SOT23. Товар поставляється набором із 40 штук.
- Тип транзистора: польовий (N-JFET)
- Корпус: SOT23
- Тип монтажу: поверхневий
- Максимальна потужність розсіювання: 0,46 Вт
- Максимальний струм стоку: 0,01 А
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Електричні параметри
Транзистор є польовим (FET) з каналом типу N. Максимальна потужність розсіювання становить 0,46 Вт. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 0,01 А (10 мА). Прилад є уніполярним.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SOT23. Тип монтажу — поверхневий (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.46 Вт |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.01 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 420 ₴

