Транзистор N-JFET ONSEMI MMBFJ110, SOT23, набір 40 шт.

Транзистор N-JFET ONSEMI MMBFJ110 — це уніполярний компонент у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD). Позиція продається набором із 40 штук, що зручно для серійного виробництва або ремонту плат.

• Тип транзистора: N-JFET, уніполярний
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Струм стоку та затвора: 10 мА
• Розсіювана потужність: 0,46 Вт
• Напруга затвор-виток: -25 В
• Опір у стані провідності: 18 Ом
• Кількість у наборі: 40 шт.

Технічні параметри

Транзистор має струм витоку та струм стоку 10 мА, а розсіювана потужність становить 0,46 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 18 Ом, а напруга затвор-виток обмежена значенням -25 В. Ці характеристики визначають робочий режим компонента в електричних схемах.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у стандартному корпусі SOT23, що забезпечує компактність вузла. Монтаж виконується за технологією SMD (поверхневий монтаж), що дозволяє автоматизувати процес пайки на конвеєрі. Таке рішення підходить для сучасних друкованих плат із високою щільністю розміщення елементів.