Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated MMBF170Q-7-F, 60В, 0,5А, SOT23 (набір 60 шт.)

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated MMBF170Q-7-F — це уніполярний польовий транзистор з ізольованим затвором у корпусі SOT23.## Комплектація

• Тип: N-MOSFET, уніполярний
• Напруга стік-витік: 60 В
• Струм стіка: 0,5 А (0,8 А в імпульсі)
• Потужність розсіювання: 0,3 Вт
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 60 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою стік-витік до 60 В та постійним струмом стіка 0,5 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 0,8 А. Потужність розсіювання становить 0,3 Вт, а опір у відкритому стані — 5,3 Ом.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі SOT23. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж).

Канал та полярність

Транзистор має канал n-типу збагачувального типу та є уніполярним. Це означає, що для відкривання каналу потрібна додатна напруга на затворі відносно витоку, а керування здійснюється лише одним типом носіїв заряду. Максимальна допустима напруга затвор-витік становить ±20 В.