Транзистор N-MOSFET ONSEMI MMBF170LT1G, SOT23, 60В, 0,5А (комплект 90 шт.)
2 000 ₴
- В наявності
- Код: TM113298
Транзистор N-MOSFET ONSEMI MMBF170LT1G, SOT23, 60В, 0,5А (комплект 90 шт.)В наявності
2 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI MMBF170LT1G — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD). Комплект складається з 90 одиниць.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Струм стіка: 0,5 А
- Потужність розсіювання: 0,225 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 90 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стіка 0,5 А. Потужність розсіювання становить 0,225 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SOT23. Призначений для поверхневого монтажу (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.225 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 5000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 90 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 000 ₴