Транзистор IGBT IXYS IXXK110N65B4H1, 650В, 110А, корпус TO264

Транзистор IGBT IXYS IXXK110N65B4H1 — це силовий напівпровідниковий прилад технології GenX4™ у корпусі TO264. Він розрахований на робочу напругу 650 В та постійний струм колектора 110 А.

• Струм колектора 110 А
• Напруга колектор-емітер 650 В
• Розсіювана потужність 880 Вт
• Імпульсний струм 570 А
• Корпус TO264, монтаж THT
• Технологія GenX4™

Потужність та струмові характеристики

Прилад витримує постійний струм колектора 110 А та імпульсний струм до 570 А. Максимальна розсіювана потужність становить 880 Вт.

Швидкість перемикання

Транзистор має час ввімкнення 65 нс та час вимкнення 250 нс. Ці параметри визначають динамічні характеристики перемикання приладу. Технологія виготовлення GenX4™, Trench та XPT™ впливає на структуру напівпровідника.

Керування та монтаж

Напруга керування затвор-емітер становить ±20 В, а сумарний заряд затвора — 183 нКл. Транзистор призначений для вивідного монтажу (THT) у стандартному корпусі TO264.