Транзистор N-MOSFET IXYS IXTU8N70X2, 700В, 8А, IPAK — набір 10 шт.

Транзистор N-MOSFET IXYS IXTU8N70X2 — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Модель розрахована на напругу дрена-джерела до 700 В та постійний струм 8 А.

• Напруга дрена-джерела до 700 В
• Струм дрена 8 А, імпульсний до 16 А
• Потужність розсіювання 150 Вт
• Корпус IPAK, монтаж THT
• Набір із 10 транзисторів

Високовольтні характеристики

Транзистор витримує напругу дрена-джерела (Vds) до 700 В. Максимальна напруга на затворі становить ±30 В, що визначає вимоги до драйвера керування.

Потужність та струмові параметри

Номінальний струм дрена дорівнює 8 А, а імпульсний струм (Idm) може сягати 16 А. Потужність розсіювання становить 150 Вт, що вимагає належного теплового відведення.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі IPAK із технологією монтажу THT (скрізний монтаж). Корпус IPAK забезпечує компактне розміщення на платі при збереженні теплового контакту.

Комплектація

Товар поставляється набором із 10 транзисторів.