Транзистор N-MOSFET IXYS IXTQ26N50P, 500В, 26А, 400Вт, TO3P — набір 5 шт.

Транзистор N-MOSFET IXYS IXTQ26N50P — це потужний напівпровідниковий прилад для силових електронних схем. Модель розрахована на високу напругу та струм, що робить її придатною для промислових та енергетичних застосувань.

• Напруга дрена-джерела: 500 В
• Струм дрена: 26 А
• Потужність розсіювання: 400 Вт
• Час готовності: 300 нс
• Корпус: TO3P, монтаж THT
• Набір: 5 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 500 В та витримує струм дрена 26 А. Такі параметри дозволяють використовувати компонент у високовольтних інверторах та джерелах живлення. Висока напруга забезпечує стабільну роботу в умовах значних електричних навантажень.

Потужність розсіювання

Прилад має потужність розсіювання 400 Вт, що свідчить про його здатність ефективно відводити тепло під час роботи. Це важливо для тривалої експлуатації силових ключів без перегріву. Корпус TO3P сприяє ефективному тепловідведенню.

Швидкість перемикання

Час готовності транзистора становить 300 нс, що забезпечує швидке перемикання станів. Це критично для високочастотних перетворювачів та імпульсних регуляторів. Швидке перемикання зменшує втрати енергії при переході між станами.

Монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі TO3P з монтажем THT (скрізь отвори). Такий тип монтажу забезпечує надійний механічний контакт та простоту пайки на друкованих платах. Корпус TO3P є стандартним для потужних дискретних транзисторів.

Комплектація

Товар постачається набором із 5 транзисторів. Це зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання, де використовується кілька однакових компонентів.