Транзистор IXYS IXTQ26N50P, N-MOSFET, 500 В, 26 А, 400 Вт, TO3P (набір 5 шт.)

Транзистор IXYS IXTQ26N50P — це польовий N-MOSFET транзистор у корпусі TO3P. Пристрій характеризується максимальною напругою стік-витік 500 В, струмом стоку 26 А та потужністю розсіювання 400 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 500 В
• Максимальний струм стоку: 26 А
• Потужність розсіювання: 400 Вт
• Корпус: TO3P, монтаж вставний
• Опір у відкритому стані: 230 мОм
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 500 В та витримує струм стоку до 26 А. Максимальна потужність розсіювання становить 400 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 230 мОм, що впливає на ефективність передачі струму.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO3P з вставним типом монтажу. Це однополярний (unipolar) транзистор з каналом типу збагачення (enhancement mode). Час готовності (switching time) становить 300 нс, що характеризує швидкодію перемикання.

Комплектація

У наборі постачається 5 транзисторів IXYS IXTQ26N50P (Symbol TME: IXTQ26N50P). Це стандартний силовий MOSFET (standard power mosfet) з зарядом затвора 65 нКл.