Транзистор N-MOSFET IXYS IXTH32N65X, 650В, 32А, TO247-3 — набір 3 шт.
2 010 ₴
- В наявності
- Код: TM112734
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTH32N65X, 650В, 32А, TO247-3 — набір 3 шт.В наявності
2 010 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTH32N65X — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Модель розрахована на напругу 650 В та струм 32 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 650 В
- Струм дрена: 32 А
- Потужність розсіювання: 500 Вт
- Корпус: TO247-3, монтаж THT
- Набір: 3 шт.
Електричні характеристики
Транзистор має максимальну напругу дрена-джерела 650 В та постійний струм дрена 32 А. Опір у стані провідності становить 135 мОм. Потужність розсіювання дорівнює 500 Вт, а заряд входу — 54 нКл.
Корпус та монтаж
Прилад виконаний у корпусі TO247-3. Монтаж здійснюється виводами в отвори (THT). Час готовності (switching time) становить 400 нс.
Комплектація
Товар поставляється набором із 3 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 500 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 32 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 135 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 400 нс |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 010 ₴