Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA2N100P, 1 кВ, 2 А, TO263, набір 10 шт.

Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA2N100P — це уніполярний напівпровідниковий прилад з підвищеним каналом, призначений для роботи під напругою до 1 кВ. Товар постачається набором із 10 штук у корпусі TO263 для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, з підвищеним каналом
• Максимальна напруга дрена-джерела: 1 кВ
• Струм дрена: 2 А
• Потужність розсіювання: 86 Вт
• Корпус: TO263, монтаж SMD
• Час готовності: 800 нс
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри та тип каналу

Транзистор має напругу дрена-джерела 1 кВ та струм дрена 2 А. Потужність розсіювання становить 86 Вт. Час готовності становить 800 нс. Прилад є уніполярним із підвищеним каналом (standard power mosfet).

Корпус і монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO263, що є стандартом для силових MOSFET-транзисторів. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж), що забезпечує компактне розміщення на друкованій платі.

Комплектація та ідентифікація

У пакуванні міститься 10 транзисторів. Символ виробника: IXTA2N100P. Виробник: IXYS.