Транзистор N-MOSFET IXYS IXFT50N60P3, 600 В, 50 А, TO268 — набір 2 шт.

Транзистор N-MOSFET IXFT50N60P3 від бренду IXYS — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 600 В та струм 50 А. Товар поставляється комплектом із 2 штук у корпусі TO268 для монтажу на поверхню (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 600 В
• Постійний струм дрена: 50 А
• Потужність розсіювання: 1,04 кВт
• Опір у стані провідності: 0,16 Ом
• Корпус: TO268, монтаж SMD
• Комплектація: 2 шт.

Електричні параметри

Прилад має максимальну напругу дрена-джерела 600 В та постійний струм дрена 50 А. Потужність розсіювання становить 1,04 кВт, а опір у стані провідності — 0,16 Ом. Заряд затвора становить 94 нКл.

Корпус та монтаж

Транзистор виготовлений у корпусі TO268. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж).