Транзистор N-MOSFET IXYS IXFP7N80P, 800 В, 7 А, TO220AB — набір 10 шт.
2 280 ₴
- В наявності
- Код: TM112728
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFP7N80P, 800 В, 7 А, TO220AB — набір 10 шт.В наявності
2 280 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET IXFP7N80P від бренду IXYS — це уніполярний компонент із каналом збагачення, розрахований на напругу 800 В та струм 7 А. Товар постачається комплектом із 10 штук у корпусі TO220AB.
- Струм дрена 7 А та напруга 800 В
- Потужність розсіювання 200 Вт
- Опір у стані провідності 1,44 Ом
- Корпус TO220AB для монтажу THT
- Комплект із 10 транзисторів
- Технології HiPerFET™ та Polar™
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела 800 В та витримує струм дрена 7 А. Потужність розсіювання становить 200 Вт, а опір у стані провідності — 1,44 Ом. Напруга затвор-джерело обмежена ±30 В, що визначає режими керування каналом.
Технологія та монтаж
Компонент виготовлений за технологіями HiPerFET™ та Polar™. Час готовності (готовності до роботи) становить 250 нс. Монтаж виконується методом THT (скрізний монтаж) у корпусі TO220AB.
Комплектація
У пакуванні міститься 10 транзисторів IXFP7N80P. Кількість у комплекті становить 10 шт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 200 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1440 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 250 нс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 280 ₴