Транзистор IXYS IXFN420N10T, 100В, 420А, SOT227B
3 150 ₴
- В наявності
- Код: TM112726
Транзистор IXYS IXFN420N10T, 100В, 420А, SOT227BВ наявності
3 150 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IXFN420N10T — це силовий MOSFET-модуль від виробника IXYS. Компонент виготовлений за технологією GigaMOS™ та має низький опір в стані провідності.
- Струм стоку 420 А для потужних силових ланцюгів
- Піковий струм у імпульсі 1 кА
- Низький опір провідності 2,3 мОМ
- Час готовності 140 нс завдяки GigaMOS™
- Корпус SOT227B з гвинтовим кріпленням
- Розсіювана потужність 1,07 кВт
Високі струмові параметри
Постійний струм стоку становить 420 А. У імпульсному режимі пристрій витримує піковий струм до 1 кА. Максимальна розсіювана потужність становить 1,07 кВт.
Технічні характеристики комутації
Завдяки технології GigaMOS™ та HiPerFET™ транзистор має час готовності 140 нс. Опір у стані провідності становить 2,3 мОМ. Заряд затвора дорівнює 670 нКл.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SOT227B з гвинтовим кріпленням. Структура напівпровідника — одиночний транзистор. Максимальна напруга стік-витік становить 100 В, а напруга затвор-витік — ±30 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 1070 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 420 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.3 mOm |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 140 нс |
| Корпус | SOT227B |
| Технологія | GigaMOS™, HiPerFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 150 ₴