
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFH50N60P3, 600В, 50А, TO247-3 — набір 2 шт.
2 430 ₴
- В наявності
- Код: TM112724
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET IXFH50N60P3 від бренду IXYS — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель розрахована на напругу 600 В та струм 50 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 50 А
- Потужність розсіювання: 1,04 кВт
- Опір у стані провідності: 0,16 Ом
- Корпус: TO247-3, монтаж THT
- Заряд затвора: 94 нКл
- Кількість у комплекті: 2 шт.
Потужність та опір
Прилад розсіює потужність до 1,04 кВт. Опір у стані провідності становить 0,16 Ом.
Напруга та струм
Максимальна напруга дрена-джерела дорівнює 600 В, а постійний струм дрена — 50 А.
Корпус та монтаж
Транзистор виконаний у корпусі TO247-3. Монтаж здійснюється методом THT (скрізь отвори).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 1040 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 50 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 160 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 430 ₴
