Транзистор N-MOSFET IXYS IXFH12N100P, 1 кВ, 12 А, TO247-3 — набір 2 шт.
2 000 ₴
- В наявності
- Код: TM112721
Транзистор N-MOSFET IXFH12N100P від бренду IXYS — це уніполярний компонент із каналом збагачення, розрахований на напругу 1 кВ та струм 12 А. Прилад виконаний у корпусі TO247-3 для монтажу в отвори (THT) і постачається комплектом із 2 штук.
- Напруга дрена-джерела: 1 кВ
- Струм дрена: 12 А
- Розсіювана потужність: 463 Вт
- Корпус: TO247-3 (монтаж THT)
- Час готовності: 300 нс
- Комплектація: 2 шт.
Високовольтна робота
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 1 кВ та струмом дрена 12 А. Максимальна розсіювана потужність становить 463 Вт, а опір у стані провідності — 1,05 Ом. Такі параметри визначають можливості компонента у високовольтних ланцюгах.
Параметри затвора
Заряд затвора становить 80 нКл, а допустима напруга затвор-джерело — ±30 В. Час готовності транзистора дорівнює 300 нс. Ці характеристики описують електричні властивості керуючого входу.
Технологія та корпус
Компонент виготовлений за технологіями HiPerFET™ та Polar™. Корпус TO247-3 призначений для монтажу в отвори (THT). У комплекті йдуть 2 транзистори.
Комплектація та тип каналу
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 463 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 1000 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1050 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 300 нс |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
- Ціна: 2 000 ₴