Транзистор IXYS IXFA4N85X, N-MOSFET, 850 В, 3,5 А, TO263 (набір 10 шт.)

Транзистор IXYS IXFA4N85X — це польовий N-MOSFET з каналом збагачення, розрахований на максимальну напругу стік-витік 850 В та струм стоку 3,5 А. Прилад виготовлений у поверхневому корпусі TO263 і належить до технології HiPerFET™ X-Class.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 850 В
• Максимальний струм стоку: 3,5 А
• Корпус: TO263 (поверхневий монтаж)
• Максимальна потужність розсіювання: 150 Вт
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 850 В, а напруга затвор-витік обмежена 30 В. Струм стоку в імпульсі може досягати 10 А, при цьому максимальна потужність розсіювання дорівнює 150 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) зафіксований на рівні 2500 мОм, а заряд затвора — 7 нКл.

Конструкція та монтаж

Транзистор виконаний у корпусі TO263 для поверхневого монтажу (SMD). Час готовності (turn-on time) становить 170 нс. Прилад є уніполярним і використовує технологію ultra junction x-class.

Комплектація

У наборі постачається 10 транзисторів IXFA4N85X.