Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA24N60X, 600В, 24А, TO263 — набір 5 шт.

Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA24N60X — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи в силових електронних схемах. Модель забезпечує комутацію струму до 24 А при напрузі 600 В у компактному корпусі TO263 для поверхневого монтажу.

• Напруга дрена-джерела: 600 В
• Струм дрена: 24 А
• Потужність розсіювання: 400 Вт
• Корпус: TO263 (SMD монтаж)
• Час готовності: 140 нс
• Тип: N-MOSFET, канал збагачення

Висока напруга та струм

Транзистор працює з напругою дрена-джерела 600 В та витримує струм дрена 24 А. Це дозволяє використовувати компонент у високовольтних інверторах та імпульсних джерелах живлення. Номінальна потужність розсіювання становить 400 Вт, що вимагає ефективного відведення тепла від корпусу.

Швидка комутація

Час готовності (switching time) дорівнює 140 нс, що забезпечує швидке перемикання станів. Така характеристика важлива для високочастотних схем, де мінімізація втрат на переході є критичною. Заряд затвора становить 47 нКл, що впливає на швидкість керування приладом.

Компактний корпус SMD

Компонент виконаний у корпусі TO263 для поверхневого монтажу (SMD). Це спрощує автоматизацію процесу пайки та економить місце на друкованій платі. Корпус TO263 забезпечує надійний контакт з платою та відведення тепла через металеву площадку.

Технологія Ultra Junction X-Class

Транзистор належить до серії Ultra Junction X-Class, що характеризується оптимізованою структурою напівпровідника. Така технологія сприяє зниженню опору в стані провідності та підвищенню ефективності роботи приладу. Уніполярна полярність та канал збагачення визначають специфіку керування затвором. Опір у стані провідності становить 0,175 Ом, що зменшує нагрівання приладу під час роботи.